Ερευνητές
 
Iconuserslogin Είσοδος Χρηστών    Mailbox Ηλ. Ταχυδρομείο    Iconinfo English

Φασματοσκοπία Raman, IR, Απορρόφησης

Πειραματική διάταξη RAMAN
Με τη βοήθεια των φασματοσκοπικών τεχνικών (Raman, IR, Απορρόφησης, Φωτοφωταύγειας) και με τη βοήθεια θεωρητικών προτύπων ( RIM, FP LMTO ) μελετώνται οι οπτικές ιδιότητες διαφόρων κατηγοριών υλικών (ημιαγωγοί, φουλερένια, νανοσωλήνες, γρανίτες κλπ) και μέσω αυτών αφ΄ ενός μεν χαρακτηρίζονται τα εν λόγω υλικά αναφορικά (ταυτοποίηση, διάφορες μορφές, κρυσταλλικότητα, την ύπαρξη τάσεων), αφετέρου δε μελετώνται διάφορα φυσικά φαινόμενα (αλληλεπίδραση ηλεκτρονίων φωνονίων, μελέτη αλληλεπιδράσεων αμέσου γειτονίας κλπ).
Η επίδραση εξωτερικών παραμέτρων (πίεση, θερμοκρασίας) μεταβάλει τις οπτικές ιδιότητες και συνεπώς η μελέτη των οπτικών ιδιοτήτων, εκτός της μελέτης αυτών καθ΄ εαυτών των φυσικών φαινομένων (ιεραρχία δυνάμεων), επιτρέπει τη σπουδή των περιοχών δομικής ευστάθειας των υλικών ως επίσης και επαγομένων από την πίεση δομικών μεταβολών φάσεων.
Οι εν λόγω μελέτες είναι βασικής σημασίας τόσο από απόψεως βασικής έρευνας (κατανόηση βασικών φυσικών αλληλεπιδράσεων) όσο από απόψεως κατανόησης της συμπεριφοράς των υλικών κάτω από ειδικές συνθήκες).
•Δραστηριότητες:
1. Μελέτη των από την πίεση επαγόμενων μεταβολών φάσεων και οπτικών ιδιοτήτων ημιαγωγών (ΙΙΙ-V, II-VI), των Φουλερενίων και των παραγώγων των.
2. Μελέτη των από την πίεση επαγόμενων μεταβολών φάσεων με φασματοσκοπία Raman ενώσεων της δομής Scheelite, ABO4 (Α = Ca, Sr, Ba, κλπ και B = W,Mo)
3. Μελέτη με φασματοσκοπία Raman των νιτριδίων της ομάδας ΙΙΙ του περιοδικού πίνακα (AlN, GaN, InN) και των κραμάτων τους: επίδραση στο πλέγμα της εμφύτευσης ιόντων και της εισαγωγής προσμίξεων (doping) καθώς και των τάσεων που επάγονται από την επιταξιακή ανάπτυξη.
4. Μελέτη των φασμάτων Raman ως και της δυναμικής πλέγματος γρανατών του αργιλίου και του γαλλίου, RE3Al5O12, RE3Ga5O12, όπου RE σπάνια γαία.
•Εξοπλισμός:
1. Ένα φασματόμετρο Raman RAMALOG 5, τριπλού μονοχρωμάτορα, που καλύπτει την περιοχή 12.000-28.000 cm-1 (8500 - 3500 A). (1978) πλήρως αυτοματοποιημένο και ελεγχόμενο από μικροϋπολογιστή.
2.Ένας Laser Ar+ της Spectra Physics 2W (1978).
3. Ένα Laser Kr της Lexel 1.5 W (1993).
4. Ένας κρυοστάτης με την αντίστοιχη αντλία διαχύσεως της Cryogenic έως 20ο Κ (1982).

ΑΝΑΚΟΙΝΩΣΕΙΣ

  • 16-11-2017
  • Προκήρυξη εκλογών για την ανάδειξη εκπροσώπων ΕΔΙΠ και ΕΤΕΠ στα όργανα του Τμήματος
  • 16-11-2017
  • Πρόγραμμα των κατατακτηρίων εξετάσεων για το ακαδημαϊκό έτος 2017-2018
  • 16-11-2017
  • Γενικά Μαθηματικά ΙΙΙ - Αναπλήρωση μαθημάτων (Τμήμα Α. Πέτκου)
  • 14-11-2017
  • ΕΕΦ: 17ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής
  • 13-11-2017
  • Πρόσκληση σε παράσταση - ΙΥF - Christmas Miracle in Thessaloniki
  • 13-11-2017
  • Εκδήλωση του Γραφείου Διασύνδεσης στις 21 και 22 Νοεμβρίου 2017
  • 09-11-2017
  • Αλλαγή ώρας παράδοσης στο μάθημα Ξένη Γλώσσα (Αγγλικά)
  • 08-11-2017
  • Εγγραφές αθλητών ακαδημαϊκού έτους 2017-2018
  • 08-11-2017
  • Μετεγγραφές ακαδημαϊκού έτους 2017-2018
  • 31-10-2017
  • Κατατακτήριες εξετάσεις
  • 30-10-2017
  • Έναρξη δηλώσεων και διανομής συγγραμμ'ατων χειμερινού εξαμήνου ακ. έτους 2017-18
  • 10-10-2017
  • Ορκωμοσία φοιτητών 24/11/2017
  • 20-09-2017
  • Διευκρίνιση σχετικά με το Πιστοποιητικό Παιδαγωγικής & Διδακτικής Επάρκειας (ΠΠΔΕ)
  • 28-04-2017
  • Κατατακτήριες εξετάσεις

ΗΜΕΡΟΛΟΓΙΟ

<<Νοέμβριος>>
ΚυρΔευΤριΤετΠεμΠαρΣαβ
      1 2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15
16
17
18
19
20
21 22
23
24
25
26
27
28
29
30